新華社北京9月6日電（記者胡喆）記者從科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。項(xiàng)目重點(diǎn)圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)中的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵器件以及關(guān)鍵工藝進(jìn)行研究，開(kāi)發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制。

專家介紹，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

據(jù)悉，項(xiàng)目為滿足對(duì)應(yīng)高性能封裝和低成本消費(fèi)級(jí)封裝的需求，研制出高帶寬氮化鎵發(fā)光器件及基于發(fā)光器件的可見(jiàn)光通信技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制；開(kāi)展第三代半導(dǎo)體封裝和系統(tǒng)可靠性研究，形成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范；制備出高性能碳化硅基氮化鎵器件。

通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破，自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù)，有助于支撐我國(guó)在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國(guó)防建設(shè)上的重大需求。（完）